纯相SnO 2 纳米晶薄膜的一步电沉积制备及其结构与光电性能研究
2017
采用一步电沉积在氧化铟锡(ITO)导电玻璃基底上制备纯相SnO 2 纳米晶薄膜材料,通过改变沉积条件,研究沉积电位、镀液温度和HNO 3 浓度对薄膜组成结构的影响。结果表明:当沉积电位为-0.9 V(vs.SCE),镀液温度为65℃,HNO 3 浓度为50 mmol/L时,所制备的SnO 2 纳米晶薄膜为纯相金红石型结构,且薄膜相对连续致密。光电性能测试表明,该薄膜具有优异的光电性能,在可见光区透光率大于90%,带隙为3.75 eV,且电阻率为2.2×10 -3 Ω·cm,载流子浓度为1.9×10 20 cm -3 ,载流子迁移率为14.8 cm 2 /(V·s)。故所制备的SnO 2 纳米晶薄膜是太阳能电池的理想窗口层材料。
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