Ｃａｔ−ＰＥＣＶＤ法、それを用いて形成した膜、その膜を備えた薄膜デバイス、および膜処理システム

【課題】膜厚・膜質ともに均一性の高い状態で製膜することができ、かつ高い生産性を実現できる方法、それで形成された膜、その膜を用いた薄膜デバイス及び膜処理システムを提供すること。 【解決手段】分子式にＳｉおよび／またはＣを含む原料系ガスと、熱触媒体によって加熱される分子式にＳｉとＣを含まない非Ｓｉ非Ｃ系ガスとが、中空構造を有した第１及び第２のガス導入管の中空部を通ってこれらに設けられた複数のガス噴出口から製膜空間に噴出されるにあたって、原料系ガスはアンテナ電極を兼ねる第１のガス導入管を通して、非Ｓｉ非Ｃ系ガスは第２のガス導入管を通して噴出され、噴出された混合ガスは、第１のガス導入管に接続された高周波電源によって生成されたプラズマによって、基体に膜が堆積されることを特徴とするＣａｔ−ＰＥＣＶＤ法とする。 【選択図】　図１