MIM capacitors in semiconductor components and processes for the manufacture of a capacitor finger

Kondensator (11), umfassend: eine erste Elektrode (150); eine zweite Elektrode (160); und einen zwischen der ersten Elektrode (150) und der zweiten Elektrode (160) angeordneten dielektrischen Schichtstapel (110, 120), wobei der dielektrische Schichtstapel (110, 120) eine erste dielektrische Schicht (110) und eine zweite dielektrische Schicht (120) umfasst, wobei die erste dielektrische Schicht (110) aus einem ersten Material besteht und wobei die zweite dielektrische Schicht (120) aus einem zweiten Material besteht, wobei in der ersten dielektrischen Schicht (110) Metallleitungen und eine Durchkontaktierungsebene angeordnet sind, und wobei in der zweiten dielektrischen Schicht (120) Metallleitungen und eine Durchkontaktierungsebene angeordnet sind, und wobei der Kondensator (11) in mehreren Metallebenen (M1, M2) einer Halbleiterkomponente (10) angeordnet ist, wobei die erste (110) und die zweite dielektrische Schicht (120) Materialien mit entgegengesetztem Temperatur-Koeffizienten der Kapazitat (TCC) oder Spannungs-Koeffizienten der Kapazitat (VCC) umfassen.