Dispositif semi-conducteur et procédé de fabrication associé

L'invention concerne un dispositif semi-conducteur (100A) qui comprend : une electrode de grille (3) ; une couche d'isolation de grille (5) ; une couche de semi-conducteur (7) qui est formee sur la couche d'isolation de grille ; une pluralite de transistors en couches minces (10) comprenant une electrode de source (9s) et une electrode de drain (9d) qui sont situees sur la couche de semi-conducteur ; une couche metallique de source (30) contenant un câblage global (9g) qui est forme a l'aide du meme film conducteur qui est utilise pour former l'electrode de source et l'electrode de drain et qui fournit un signal commun a la pluralite de transistors en couches minces ; et une couche de protection isolante (12) qui recouvre la pluralite de transistors en couches minces et la couche metallique de source. La couche metallique de source comprend une couche inferieure (30A) et une couche superieure (30B) qui est empilee sur une partie de la couche inferieure. Le câblage global (9g) comprend une premiere structure de couche qui contient la couche inferieure et la couche superieure. Au moins des parties de l'electrode de source (9s) et de l'electrode de drain (9d) qui sont positionnees sur la couche de semi-conducteur possedent une seconde structure de couche qui contient la couche inferieure et ne contient pas la couche superieure.