Enhanced photoluminescence from porous silicon microcavities by rare earth doping

在在房间温度的可见范围的多孔的硅 microcavities (PSM ) 的光致发光(PL ) 性质被做稀土元素镱(Yb ) 进电气化学的蚀刻方法准备的 PSM 改进。与稀土元素做的 PSM 在 630 nm 附近有一个排放乐队，这被观察。与单个层的多孔的硅(PS ) 相比拍摄，与 Yb 做的 PSM 有更狭窄、更强壮的 PL 光谱。