对ge-geo2共掺杂对tio2-v2o5-y2o3压敏陶瓷的非欧姆特性的影响

研究了掺杂的单晶锗或/和GeO2对tio2-v2o5-y2o3压敏陶瓷的影响。结果表明，掺杂Y2O3含量V2O5和0.5刀%，分别，掺杂有0.3摩尔%的Ge和0.9摩尔%的氧化锗使最高α值（α= 12.8），最低击穿电压vlmg（vlma = 15.8 V / RAM）和最高的晶界势垒ФB（ФB = 1.48 eV），这是GE或掺杂的tio2-v2os-y203压敏陶瓷掺杂Ge和GeO2和单的明显优势。的tio2-v2os-yeo3-ge-geo2陶瓷已成为一个新的压敏陶瓷具有优良的电气性能，展望。