Estimation des pertes dans les transistors bipolaires SiC

Cet article traite de l'estimation des pertes dans les transistors bipolaire SiC. Deux methodes sont presentees ici. La premiere, qualifiee d'electrique, consiste a mesurer la tension et le courant commutes par le composant puis de calculer les pertes par conduction et par commutation (amorcage et blocage indifferencies). Cette methode de mesure, tres sensible, est ensuite comparee a la deuxieme methode dite methode calorimetrique. Cette derniere simplifiee ici consiste a mesurer l'elevation de temperature d'un bloc d'aluminium sur lequel le transistor est monte. Connaissant la capacite thermique du bloc d'aluminium, il est ensuite possible de calculer les pertes totales dans le transistor pourvu (les echanges thermiques avec l'exterieur sont negliges pour le calcul). La faible difference de resultats valide la methode electrique qui, combinee a la methode de la double impulsion, permet l'etude de differents parametres environnants (courant de base, courant de collecteur, diode anti-saturation, temperature de jonction...) pour une temperature de jonction quasi-constante.