DETERMINACIÓN DE LA LONGITUD DE DIFUSIÓN DE PORTADORES MINORITARIOS EN CELDAS SOLARES MEDIANTE ILUMINACIÓN POSTERIOR: CONSIDERACIONES TEÓRICAS Y RESULTADOS EXPERIMENTALES

Recientemente, se propuso teoricamente la tecnica simple para la determinacion de la longitud de difusion de portadores minoritarios en la base de celdas solares de silicio cristalino. La misma esta basada en el comportamiento de la corriente de cortocircuito en funcion del espesor de la oblea, iluminando el dispositivo desde la cara posterior. En el presente trabajo, se estudia experimentalmente la nueva tecnica midiendo la corriente de cortocircuito generada por la iluminacion posterior en celdas solares de diferentes espesores elaboradas durante un mismo proceso. El modelo teorico se analiza tambien utilizando el programa de simulacion de dispositivos PC-1D. Tanto los resultados experimentales como las simulaciones numericas muestran la dependencia lineal entre el logaritmo de la corriente y el espesor, en buen acuerdo con el modelo teorico. Se discuten los limites de validez de esta tecnica.