E／D GaAsPHEMT 多功能 MMIC 设计

基于E／DGaAs赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺研制了Ku波段多功能MMIC芯片。该MMIC集成了数字驱动器和微波电路，内含6bit数控移相器、6bit数控衰减器、3个低噪声放大器、4个数控单刀双掷开关、多个TTL数字驱动器。其中两个低噪声放大器采用了电流复用技术，总直流功耗小于275mW，实现了节能。测试结果表明：发射支路增益大于2dB，输出P1dB大于9dBm；接收支路增益大于10dB，输出P1db大于7dBm，噪声系数小于8dB。相对移相误差均方根值（RMS）在发射和接收模式下均小于6°，附加调幅小于1．5dB；衰减误差RMs小于0．7dB，附加调相小于4°。