Mg：Ce：Fe：LiNbO3晶体生长及其全息存储性能

在同成分LiNbO3（LN）中,掺入MgO的摩尔分数分别为0,2%,4%,6%,掺入（质量分数）0.1%CeO2和0.08%Fe2O3,采用提拉法生长了优质的Mg：Ce：Fe：LN晶体.检测了Mg：Ce：Fe：LN晶体的红外透射光谱和光损伤阈值.结果表明：6%Mg：0.1%Ce：0.08%Fe：LN晶体的OH-振动吸收峰紫移到3 532cm^-1,其光损伤阈值比Ce：Fe：LN晶体提高2个数量级以上.用二波耦合光路测试晶体的衍射效率,写入时间和擦除时间.计算了光折变灵敏度和动态范围.结果表明：Mg：Ce：Fe：LN晶体全息存储性能优于Fe：LN晶体和Ce：Fe：LN晶体.以4%Mg：0.1%Ce：0.08%Fe：LN晶体作为全息记录材料,实现了总存储页面为3 200幅图像的存储,再现图像清晰完整.