질화갈륨계 반도체 발광소자

본 발명에서는 발광효율이 향상되고, 전기적 특성이 개선되어 신뢰성 높은 GaN계 반도체 발광소자가 제안된다. 본 발명의 GaN계 반도체 발광소자는 기판, n형 질화물 반도체층, 활성층, 및 p형 질화물 반도체층이 순차적층된 질화갈륨계 반도체 발광소자이다. n형 질화물 반도체층 상에는, 서로 다른 에너지 밴드 갭을 갖는 물질이 교대로 다수회 반복 적층되어 이루어진 제1초격자층이 형성되고, 제1초격자층 및 활성층 사이에는, 제1초격자층 및 활성층 각각의 에너지 밴드갭 사이의 에너지 밴드갭을 갖는 제1중간층이 형성된다. 초격자층, 에너지 밴드, 질화갈륨