Substrat semiconducteur a recroissance epitaxiale dans la phase solide a fuites reduites dans la jonction et sa methode de fabrication

Cette methode de fabrication d'un dispositif semiconducteur comprend les etapes suivantes : (a) la preparation d'un substrat semiconducteur ; (b) la production d'une premiere couche amorphe dans une couche superieure du substrat semiconducteur par une implantation appropriee, la premiere couche amorphe ayant une premiere profondeur ; (c) l'implantation d'un premier dopant dans le substrat semiconducteur afin de donner un premier profil de dopage a la couche amorphe ; (d) l'application d'une recroissance epitaxiale dans la phase solide afin de reformer partiellement la premiere couche amorphe et de former une deuxieme couche amorphe ayant une deuxieme profondeur inferieure a la premiere profondeur, ainsi que pour activer le premier dopant ; (e) l'implantation d'un deuxieme dopant dans le substrat semiconducteur afin de donner un deuxieme profil de dopage a la deuxieme couche amorphe ayant une concentration en dopants superieure a celle du premier profil de dopage ; (f) l'application d'une deuxieme recroissance epitaxiale dans la phase solide afin de reformer la deuxieme couche amorphe et d'activer le deuxieme dopant.