Исследование электронной структуры гладких углеводородных пленок, полученных в плазменных условиях токамака Т-10

Продолжены исследования электронной структуры углеводородных толстых гладких пленок с высоким относительным содержанием дейтерия D/C, переосажденных из разрядов дейтериевой плазмы на стенки вакуумной камеры Токамака Т-10. Измерения проводились с помощью рентгеновской фотоэмиссионной спектроскопии. Впервые данные получены для обеих сторон пленки и впервые – для валентной зоны, вместе с “традиционными” измерениями обзорных спектров, остовных уровней C1s, O1s, а также с помощью рентгеновской оже-электронной спектроскопии для определения соотношения sp2/sp3. Найдены отличия в электронной структуре обеих сторон пленок, что ранее наблюдалось другими методами, а также отличия от структуры тонких пленок, осажденных из чистящих разрядов низкотемпературной плазмы. Показано, как эти различия связаны с физическими процессами формирования пленок в токамаке.