Procédé de fabrication de tranche épitaxiale et support de tranche utilisé dans le procédé

Dans une couche epitaxiale, la modification du rapport de puissance entre une lampe superieure et une lampe inferieure ne genere aucune irregularite a une position opposee a une broche de levage et le depot de silicium sur la surface exterieure d'une tranche de silicium est prevenu. Un suscepteur (13) dote d’une section renfoncee (13a) et d’une section a niveaux annulaires (13b) est agence dans un recipient a reaction (11) ; une pluralite de trous traversants (13d) est formee sur une paroi inferieure (13c) de la section renfoncee, a l'exclusion de la section a niveaux ; apres le support temporaire d'une tranche (12) par une broche de levage (16) introduite dans le trou traversant, la surface inferieure peripherique externe de la tranche est placee sur la section a niveaux et stockee dans la section renfoncee ; puis une matiere premiere gazeuse est amenee a circuler vers le recipient a reaction et une couche epitaxiale est formee sur la surface de la tranche dans la section renfoncee ; a ce moment, la broche de levage fait saillie de la surface superieure de la paroi inferieure vers le haut et la hauteur (h) de la section superieure (16d) de la broche de levage dont la reference est la surface superieure de paroi inferieure est fixee dans une position allant d’un depassement de 0 mm a immediatement avant l’entree en contact de la broche de levage avec la tranche.