Device and method for silicon carbide formation (sic) single crystal on a seed

L'invention concerne un dispositif pour la formation de SiC sur un germe. Le dispositif comporte: - une premiere enceinte (100) delimitee par au moins une paroi (102, 110, 112) et pouvant recevoir un germe de SiC (122), - un reservoir (118) de poudre de SiC, - des moyens (120) de chauffage de l'enceinte, et, conformement a l'invention, la paroi (102, 110, 112) est pour l'essentiel recouverte d'au moins une couche (116) de SiC. Application a la fabrication de lingots de SiC.