シリコン単結晶育成用石英るつぼ、シリコン単結晶育成用石英るつぼの製造方法、およびシリコン単結晶の製造方法
2012
【課題】従来のチョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造工程では、石英るつぼ内のシリコン融液を汚染してしまい、また溶融工程が長時間化してしまうという問題があった。 【解決手段】石英材料のるつぼ本体12と、るつぼ本体の内壁に形成された、内部に充填するシリコン材料14と同等の純度を有する純シリコンのコーティング層17とを備えた構成とする。コーティング層17の純シリコンは、内部に充填したシリコン材料とともに溶融する。 【選択図】図1
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