Integration d'une couche 2d cristalline a base de zno sur un substrat plastique conducteur

L'invention vise un procede de realisation, sur un substrat plastique conducteur, d'une couche 2D cristalline a base d'oxyde de zinc (ZnO), eventuellement dope, qui se caracterise comme suit : la couche 2D est realisee par depot electrochimique; - le depot electrochimique est realise a une temperature comprise entre 55 °C et 65°C; le depot electrochimique est realise en presence d'oxygene, a l'aide d'une solution comprenant : • une source de zinc, a une concentration comprise entre 2,5 mM et 7 mM; et • un electrolyte de support, a une concentration comprise entre 0,06 M et 0,4 M.