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シリコンで不動態化したゲルマニウムpFinFETsの低周波雑音とフィン幅研究【Powered by NICT】
シリコンで不動態化したゲルマニウムpFinFETsの低周波雑音とフィン幅研究【Powered by NICT】
2016
A. V. Oliveira
E. Simoen
P G D Agopian
J. A. Martino
J. Mitard
L Witters
R. Langer
N. Collaert
C. Claeys
A. Thean
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