The magnetic memory element with magnetic conducting and magnetic sensor element and a magnetic random access memory

Magnetisches Speicherelement mit: – einer magnetischen Durchfuhrung (1), geeignet zum Speichern von Information, aus einem elektrisch leitenden, magnetischen Material und mit vertikaler Orientierung in Bezug auf eine Waferflache, auf der das magnetische Speicherelement ausgebildet ist, wobei die magnetische Durchfuhrung (1) uber eine magnetische Anisotropie verfugt und ihr Magnetisierungsvektor (3) mit einem magnetischen Feld mindestens einer Stromleitung (WL) magnetisch gekoppelt ist, und – einem magnetischen Sensorelement (4), geeignet zum Erfassen der Magnetisierung der magnetischen Durchfuhrung (1), mit mindestens einer magnetischen Schicht (13) mit einem Magnetisierungsvektor (16), der mit dem Magnetisierungsvektor (3) der magnetischen Durchfuhrung (1) magnetisch gekoppelt ist, wobei das magnetische Sensorelement (4) mit der mindestens einen Stromleitung (WL) elektrisch leitend verbunden ist, wobei – die magnetische Anisotropie der magnetischen Durchfuhrung (1) orthogonal zur Waferflache, auf der das magnetische Speicherelement ausgebildet ist, orientiert ist.