Verfahren zum herstellen eines tfa-bildsensors sowie tfa-bildsensor

1.Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines TFA-Bildsensors, indem auf einem mit elektronischen Schaltungen zum Betrieb des TFA-Bildsensors, wie Pixelelektronik, Peripherieelektronik und Systemelektronik versehenen ASIC-Schaltkreis (12) eine Mehrschichtanordnung mit einer Photodiodenmatrix (6) zur pixelweisen Umwandlung von elektromagnetischer Strahlung in einen intensitatsabhangigen Photostrom angeordnet ist, wobei die Pixel mit Kontakten der darunter liegenden Pixelelektronik des ASIC-Schaltkreises (12) verbunden sind. Das erfindungsgemasse Verfahren soll die Verwendung standardmassig hergestellter ASIC-Schaltkreise ohne Beeintrachtigung der Topografie der photoaktiven Sensorflache ermoglichen. Erreicht wird dies dadurch, dass die CMOS-Passivierungsschicht (1) im photoaktiven Bereich und anschliessend die oberste CMOS-Metallisierung (2) entfernt und durch eine im Pixelraster strukturierte Metallschicht (4) zur Bildung von Ruckelektroden (5) ersetzt wird. Nachfolgend wird die Photodiodenmatrix (6) aufgebracht und strukturiert, wobei die Photodiodenmatrix (6) als Pixelmatrix ausgebildet ist, auf der eine passivierende Schutzschicht (10) und/oder eine Farbfilterschicht (8) mit passivierender aufgebracht werden kann.