Élément émettant de la lumière à semi-conducteur à base de nitrure

L'invention concerne un element emettant de la lumiere a semi-conducteur a base de nitrure (LE1, LD1) qui est caracterise comme etant dote d'un substrat de nitrure de gallium (11) ayant une surface principale (11a) qui forme un angle (α) dans la plage de 40°-50° (les deux bornes etant incluses) et 90° (borne exclue)-130° (borne incluse) avec un plan de reference (Sc) orthogonal a un axe de reference (Cx) s'etendant dans une direction de l'axe c, une couche semi-conductrice a base de nitrure du gallium du type n (13), une seconde region semi-conductrice a base de nitrure de gallium (17) et une couche emettant de la lumiere (15) comprenant une pluralite de couches de puits (21) obtenues chacune a partir de InGaN et une pluralite de couches barrieres (23) obtenues chacune a partir d'un semi-conducteur a base de GaN, la direction de polarisation piezoelectrique des differentes couches de puits (21) etant une direction de la couche semi-conductrice a base de nitrure de gallium de type n (13) a la seconde region semi-conductrice a base de nitrure de gallium (17).