半导体CdS1-xSex纳米材料的制备、表征及吸收光谱研究

使用二氯化镉（CdCl2·2．5H2O）、硫粉（S）、硒粉（Se）为原料，用乙二胺作溶剂，在180℃的温和条件下，通过改变原料中硫、硒的组分，合成了固溶体半导体CAS1-xSex（0≤x≤1）纳米材料，用XRD、TEM、SAED进行分析袁征，产物为六方相、直径约20nm左右、长度约500nm左右的短棒状结构．依据XRD图，对产物的晶格常数随组分X的变化关系进行了研究，其变化关系遵从Vegard定律；测量了产物的紫外吸收光谱，对其能带隙随组分X的变化关系进行了研究，说明可通过对组分X的控制来调制材料的带隙．