Transistor iii-v et son procédé de fabrication

La presente invention porte sur un transistor III-V et sur son procede de fabrication. Le transistor III-V comprend : une structure de semi-conducteur stratifiee ayant une surface superieure et une surface inferieure et comprenant une couche semi-conductrice III-V ; et au moins une region 2DEG s'etendant de la surface superieure de la structure de semi-conducteur stratifiee a la surface inferieure de celle-ci. Un transistor base sur GaN de type vertical utilisant 2DEG peut etre fourni par adoption de la region 2DEG.