Caractérisation structurale et morphologique de couches minces épitaxiées de ZnSe déposées sur GaAs

Des couches minces epitaxiees de ZnSe ont ete deposees par ablation laser sur des substrats monocristallins de GaAs. L'influence de la temperature du substrat ainsi que son etat de surface sur la qualite structurale de ces couches a tout d'abord ete etudiee par Diffraction de Rayons X (XRD). Une epitaxie complete de ZnSe a ete obtenue pour des temperatures de substrat > 420°C. La morphologie de la surface libre de ZnSe a egalement ete etudiee par Microscopie a Force Atomique (AFM) et Microscopie Electronique a Balayage (MEB). La qualite structurale et morphologique de ces couches a ete comparee a celle de couches minces de ZnSe obtenues par Epitaxie en Phase Vapeur a partir d'Organo-Metalliques (MOCVD) ou par Epitaxie par Jets Moleculaires (MBE). On a pu constater que l'ablation laser (PLA) est une technique de depot qui permet d'obtenir des couches epitaxiees de qualite comparable a celle de couches preparees par MOCVD et MBE.