Système de dopage de plasma avec surveillance de l'état de la chambre in situ

La presente invention concerne un procede de surveillance in situ d'un procede de dopage de plasma, qui se compose de la generation d'un plasma comprenant des ions dopants dans une chambre proche d'une plaque soutenant un substrat. Une plaque est derivee avec une forme d'onde de tension de derivation ayant un potentiel negatif qui attire les ions dans le plasma vers le substrat afin de doper le plasma. Une dose d'ions attires vers le substrat est mesuree. Au moins une mesure de capteur est realisee pour determiner l'etat de la chambre de plasma. En outre, au moins un parametre de traitement de plasma est modifie en reponse a la dose mesuree et en reponse a au moins une mesure de capteur.