Élément de semi-conducteur de puissance

L'invention porte sur un element de semi-conducteur de puissance (100) qui comporte : un transistor principal (101), qui possede une premiere electrode de grille, une premiere electrode de drain et une premiere electrode de source; un transistor de capteur (102), qui possede une seconde electrode de grille, une seconde electrode de drain et une second electrode de source; et un transistor de commutateur de grille (103), qui possede une troisieme electrode de grille, une troisieme electrode de drain et une troisieme electrode de source. La premiere electrode de grille, la seconde electrode de grille, et la troisieme electrode de grille sont connectees les unes aux autres, la premiere electrode de drain et la seconde electrode de drain sont connectees l'une a l'autre, la premiere electrode de source et la seconde electrode de source sont connectees l'une a l'autre par l'intermediaire d'une resistance de capteur (104), la premiere electrode de source et la troisieme electrode de source sont connectees l'une a l'autre, la seconde electrode de source et la troisieme electrode de grille sont connectees l'une a l'autre par l'intermediaire d'une resistance de commutateur (105), et le transistor principal (101), le transistor de capteur (102) et le transistor de commutateur de grille (103) sont formes d'un semi-conducteur de nitrure.