Microwave noise sources contributions to SiGe:C/Si and InP/InGaAs HBT's performances

En este trabajo se describe la cuantificacion de las diferentes fuentes de ruido que contribuyen al funcionamiento en ruido del transistor, orientandose particularmente sobre el factor de ruido minimo (Fmin) y la resistencia de ruido equivalente (Rn), para ello nos basamos en el modelado en pequena senal de altas frecuencias con ayuda del circuito electrico equivalente. El analisis es llevado a cabo para dos transistores bipolares de heterounion (TBH), uno SiGe:C y otro InP/InGaAs. Este estudio es realizado bajo diferentes niveles de polarizacion y para dos frecuencias de operacion. Los resultados muestran que algunos parametros usualmente despreciados para el analisis de ruido de microondas tienen una contribucion no despreciable sobre Fmin y Rn. Esto es un indicador de que es necesario realizar un estudio similar al descrito en este articulo para determinar si una fuente de ruido puede ser despreciada o no. Este procedimiento puede ser aplicado para el desarrollo de modelos de analisis de ruido microondas simplificados y precisos que podrian ser utiles para una gran gama de TBH (III-V and IV-IV)