PROCEDE PERMETTANT DE FABRIQUER UN SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE DE TYPE p ET DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR FABRIQUE AU MOYEN DUDIT PROCEDE

L'invention concerne un procede qui comprend une premiere etape consistant a former une couche de semi-conducteur au nitrure par depot par evaporation sous vide organometallique au moyen d'un premier gaz vecteur comprenant un gaz vecteur azote et un gaz vecteur hydrogene d'une quantite d'ecoulement superieure a celle du gaz vecteur azote et a fournir un materiau contenant du Mg et un materiau du groupe V contenant N ; et une seconde etape de reduction de la temperature au moyen d'un second gaz vecteur auquel est ajoute un materiau contenant N.