ヘテロ接合バイポーラトランジスタ、及び、ヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法

【課題】良好なＩｎ組成比及び結晶性を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタ、及び、ヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法を提供する。 【解決手段】六方晶系窒化ガリウム系半導体からなりｎ型窒化ガリウム系半導体層５ｂを有するコレクタ層５と、Ｉｎを含むｐ型窒化ガリウム系半導体層からなり、コレクタ層５の主面Ｓ４に設けられたベース層７と、他のｎ型窒化ガリウム系半導体層からなり、ベース層７の主面Ｓ５に設けられたエミッタ層９と、を備えるヘテロ接合バイポーラトランジスタ１であって、コレクタ層５の主面Ｓ４は、コレクタ層５の六方晶系窒化ガリウム系半導体のｃ軸に対して６０度以上８０度以下の角度で傾斜している。 【選択図】図１