Halbleitervorrichtung mit elektrischem Kontakt und Verfahren zur Herstellung derselben

Halbleitervorrichtung mit: einem Halbleitersubstrat (100); auf dem Substrat (100) ausgebildeteten und voneinander getrennten Leitungsfuhrungen (108), wobei jede der Leitungsfuhrungen (108) ein erstes Leitungsschichtmuster (104, 106) und ein Isoliermaskenschichtmuster (110), welches auf dem ersten Leitungsschichtmuster (104, 106) ausgebildet ist, aufweist; auf den Seitenwanden der Leitungsfuhrungen (108) ausgebildeten Isolierspacern (112); selbstausgerichteten Kontaktpads (116a), welche Abschnitte einer zweiten Leitungsschicht enthalten, wobei jedes der selbstausgerichteten Kontaktpads (116a) in Kontakt mit den Oberflachen der Isolierspacer eine Lucke zwischen den Leitungsfuhrungen (108) fullt; einer dielektrischen Zwischenschicht (114, 118a, 130), welche auf den Kontaktpads, den Leitungsfuhrungen (108) und dem Substrat (100) ausgebildet ist, wobei die dielektrische Zwischenschicht Kontaktlocher (132) enthalt, welche die Kontaktpads freilegen; einer selektiven epitaxialen Siliziumschicht (134), welche auf den Kontaktpads, die durch die Kontaktlocher (132) freigeglegt sind, um das Isoliermaskenschichtmuster (110) abzudecken, ausgebildet ist; Kontaktplugs (138), welche in den Kontaktlochern (132) ausgebildet sind; gekennzeichnet durch...