Réalisation de guides d’onde enterrés avec un procédé quasi-planaire

Ce papier presente la premiere demonstration d'un procede quasi-planaire de fabrication de structures de guides d'onde optiques enterres dans des semiconducteurs III-V. L'approche repose sur l'utilisation d'une oxydation laterale de large etendue a partir d'une distribution discrete de trous et correspond a une evolution avantageuse du procede conventionnel mettant en jeu une oxydation a partir de mesas dont les flancs sont continus.