Laser a reseau bidimensionnel de diodes semiconductrices, a emission par la surface et puissance coherente elevee

L'invention concerne un laser a semi-conducteur forme sur un substrat semi-conducteur avec un reseau d'elements de dispositif de laser espaces lateralement, comprenant respectivement un reseau a retroaction repartie (DFB) de second ordre delimite par des reseaux a reflecteurs de Bragg repartis (DBR), le reseau a retroaction repartie presentant un dephasage central. Lesdits elements du dispositif dans lesquels sont formes le reseau a retroaction repartie et les reseaux a reflecteurs de Bragg repartis presentent un indice effectif inferieur a l'indice des zones interelements et sont espaces de facon a constituer un reseau d'anti-guides. Un laser a reseau semi-conducteur bidimensionnel peut etre forme a partir d'au moins quatre dispositifs de reseau semi-conducteur disposes sur le substrat pour permettre un couplage coherent de longue portee par l'intermediaire d'ondes lumineuses progressives entre les elements du dispositif.