Carbure de silicium exempt de micropipes et procede de fabrication associe

L'invention concerne un carbure de silicium (SiC) monocristallin exempt de micropipes, ainsi que des procedes de fabrication associes. Ce SiC est obtenu par placement d'un materiau source et d'un materiau de semence sur un support de semence dans un creuset de reaction du systeme de sublimation, les composants constituant le systeme de sublimation, notamment le materiau brut, le creuset de reaction et le support de semence, etant sensiblement exempts d'impuretes indesirables. Le controle de la temperature de croissance, de la pression de croissance, du flux de sublimation de SiC et de sa composition, et d'un gradient de temperature entre le materiau source et le materiau de semence ou le cristal SiC en croissance sur le materiau de semence pendant le processus PVT permet d'eliminer les instabilites de processus entrainant la formation de micropipes et de faire croitre un cristal SiC exempt de micropipes sur le materiau de semence.