Etude du depot de nitrure de silicium sur gaas par pulverisation cathodique reactive rf magnetron

Le depot de nitrure de silicium sur gaas a ete realise, par la pulverisation cathodique rf magnetron d'une cible de silicium dans un plasma azote/argon. Les parametres de depots tels que la puissance, la pression totale et les concentrations relatives d'azote et d'argon ont ete optimisees en terme de composition des films et de contraintes. Cette etude nous a permis de correler les techniques de caracterisation aussi diffirentes que rna, xps ou l'ellipsometrie. Le profilage auger et l'analyse par canalisation (rbs) ont montre que le nitrure de silicium est un encapsulant ideal. De plus, ces films sont de bons isolants lorqu'ils sont recuits et presentent des densites d'etats d'interface avec le gaas de l'ordre de 710#1#2 ev##1 cm##2 lorsque les depots sont precedes d'un nettoyage ionique n#2#+