BT/SiC w /PVDF三元复合薄膜的制备及其介电性能研究

以15 wt%十六烷基三甲基溴化铵改性碳化硅晶须(CTAB-SiCw)和KH550改性纳米钛酸钡(BT)为填料，聚偏氟乙烯(PVDF)为成膜物质，通过溶液流延法制备了BT/SiCw/PVDF三元复合薄膜，利用傅里叶红外光谱仪、X射线衍射仪、扫描电子显微镜和LCR介电温谱仪-高温测试系统联用装置对产物进行结构表征和介电性能测试。结果表明：KH550可以成功改性BT粒子且不会改变BT晶体结构，SiCw和BT能够较好地分散在PVDF基体中；随着BT引入量的增加，复合薄膜的介电常数先增加后减小，其中当引入10 wt% BT时介电性能最优，即f=500 Hz，ermax=33，tanδmax=0.154。随着温度的增加，该试样的介电常数和介电损耗也逐渐增加，并在120℃达到最大值(f=500 Hz，ermax=110，tanδmax=1.3)。结果对于研究具有高介电常数的三元复合电介质材料为在埋入式电容器中获得应用提供了一种策略。