金属-半导体-金属结构A1GaN／GaN异质结紫外探测器技术及特性

制备了金属-半导体-金属（MSM）结构的A1GaN／GaN异质结紫外探测器，探测器采用Ni／Au金属作为电极。实验研究了探测器的光电响应特性和I-V特性。此探测器具有两个光谱响应范围，光谱响应的峰值响应率分别为288nm处0．717A／W和366nm处0．641A／W，峰值处的量子效率分别为288nm处308oA和366nm处217％。