Manufacture method for transverse symmetrical DMOS (double diffusion metal-oxide-semiconductor) pipe

横向对称DMOS管，包括具备第一掺杂类型的外延层及位于外延层上具备第二掺杂类型的两个有源区，有源区上方设置有与有源区欧姆接触的有源区金属电极；两个有源区之间为具有第二掺杂类型的漂移区，漂移区中部为具有第一掺杂类型的沟道区，所述漂移区和沟道区上方均为绝缘层覆盖，绝缘层上分布有栅极和副栅，分别位于沟道区和漂移区上方，所述副栅上具有引线连接孔。 本发明还公开了一种横向对称DMOS管制造方法。 本发明可以通过在副栅极施加正电压吸引电荷在副栅下方反型，降低DMOS管的导通电阻，在作为静电防护器件使用时可以将副栅和栅极连接以增大栅漏电容，提高栅极电荷耦合速度，帮助器件快速开启。