Хемічний склад і морфологія поверхні йонотронних наноструктур, сформованих на основі 2D-шаруватих кристалів InSe і йонної солі RbNO3

Показано, що об’ємні вертикальні йонотронні структури можуть бути сформовані шляхом втілення розтопу йонної солі RbNO3 між шарами (0001) кристалу InSe. Методами рентґенівської електронної спектроскопії і атомно-силової мікроскопії досліджено хемічний склад і морфологію цих структур. Встановлено, що вони складаються з ультратонких 2D-шарів InSe, яких розділено шарами твердого нанокомпозитного електроліту «йонна сіль–In2O3». В процесі самоорганізації таких структур при температурах розтопу, які перевищують температуру розпаду RbNO3 на нітриди та нітрати, окиснюються гетеромежі «йонна сіль–InSe» і формуються наноструктури матеріялу з високою йонною провідністю. Вони мають форму нанорозмірних кілець і характеризуються високою латеральною густиною 109–1010 см2. Встановлено, що ці наноструктури ростуть у площинах (0001)InSe, які розташовані періодично на віддалі порядку десятків нанометрів вздовж кристалографічної осі C шаруватого кристалу.