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26aHD-9 温度変化磁気抵抗によるInGaAs/InAlAs2層2次元電子ガス系サブバンド構造の解析(26aHD 微小接合・半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
26aHD-9 温度変化磁気抵抗によるInGaAs/InAlAs2層2次元電子ガス系サブバンド構造の解析(26aHD 微小接合・半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
2011
kanetuki akahori
tomoyuki katayama
kousaku morimoto
hi u asa iwase
syouzi yamada
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