Alternatively thinned substrate processing method of polishing and subsequent cleaning

减薄替代抛光及后序清洗的衬底加工方法，属于硅片加工领域，为避免抛光过程中对衬底片表面TTV影响，该方法：根据对金刚砂粒径的要求，选择25000以上材质目数，对硅片进行加工；保持硅片始终在减薄机主轴与吸盘角度状态在0um‑11um‑20um之间；将高目数磨轮放置在纯水浇注条件下；使用修刀板将磨轮中的磨牙进行修整，使用钢制块硅进行校准，保证磨牙与硅片形成加工角度在5mm‑5.02mmm之间；将陶瓷吸盘转速控制在100rpm‑300rpm，主轴转速控制在2000rpm‑3000rpm；加工过程中使用范围在4L/min‑7L/min冷却水流量控制；调整减薄机主轴进给程序四刀循序磨削控制。