Gd1-xAlyOz：Eux梯度组合芯片的组织结构和发光性能

将组合材料芯片技术用于Gd1-xAlyOz：Eux荧光材料的研究。通过离子束溅射沉积和两步热处理技术制备Gd1-xAlyOz：Eux梯度组合材料芯片。通过X射线衍射和扫描电镜二次电子像分析发现：根据钆铝配比的不同在组合材料芯片上形成了相应的钆铝酸盐晶相;Gd4Al2O9（GAM）和GdAlO3（GAP）作为Gd2O3-Al2O3中的稳定晶体相,其单相多晶薄膜较容易形成。紫外激发发光照相记录表明Gd1-xAlyOz：Eux可以发射明亮的红色荧光（Eu^3＋的^5D0–^7F2发射,主峰值615nm）,且对于Eu^3＋掺杂,GAP是最好的钆铝酸盐基体相。材料芯片的照相筛选结果和发射光谱、吸收光谱的分析结果一致。