Dispositif à semi-conducteurs et procédé de production associé

L'invention concerne un dispositif a semi-conducteurs comprenant : un transistor a couches minces contenant un câblage de grille (3a), un premier film isolant (5), une couche semi-conductrice a oxyde en forme d'ilot (7a), un second film isolant (9), un câblage source (13as), une electrode de drain (13ad) et un film protecteur ; et une section de terminal contenant un premier connecteur (3c) forme a partir du meme film conducteur que le câblage de grille, un deuxieme connecteur (13c) forme a partir du meme film conducteur que le câblage source et l'electrode de drain, et un troisieme connecteur (19c) forme sur le deuxieme connecteur. Le deuxieme connecteur entre en contact avec le premier connecteur au sein d'une premiere ouverture (11c) prevue pour le premier et le second film isolant. Le troisieme connecteur (19c) entre en contact avec le deuxieme connecteur au sein d'une seconde ouverture (17c) prevue pour le film protecteur. Le deuxieme connecteur (13c) recouvre les surfaces d'extremite du premier et du second film isolant au niveau de la premiere ouverture (11c), et ne recouvre pas la surface d'extremite du film protecteur (15) au niveau de la seconde ouverture (17c). Par consequent, la forme conique de l'orifice de contact de la section de terminal peut etre controlee avec une grande precision.