Dispositifs a semi-conducteurs pourvus d'une zone de formation de champ

Dispositif a semi-conducteur, par exemple une diode (200) a jonction PN (101) comprenant une zone de formation de champ a materiau isolant (201) adjacente, et eventuellement chevauchant la jonction PN. La zone de formation de champ (220) a de preference une constante dielectrique elevee et est reliee par l'intermediaire de zones de couplage de tension capacitives (204,205) a des tensions pratiquement les memes que celles qui sont appliquees a la jonction PN. Lorsqu'on applique une tension inverse a travers la jonction PN (101) et que le dispositif est non conducteur, un champ electrique capacitif se forme dans une partie de la zone de formation de champ qui s'etend au-dela d'une limite de la zone lacunaire de la jonction PN qui existerait en l'absence de la zone de formation de champ (201). Le champ electrique dans la zone de formation de champ provoque l'apparition d'un champ electrique etire se limitant une zone lacunaire de formation de champ etiree correspondante (208,209), ainsi que l'apparition d'une tension inverse de claquage du dispositif.