VHF-PECVD法制备μc-SiGe薄膜的研究

分别以Si2H6和GeH4及SiH4和GeH4两种组合气体为源气体,用甚高频等离子增强化学气相沉积（VHF-PECVD）制备μc-SiGe薄膜,用Raman散射光谱和原子力显微镜（AFM）对薄膜的结构进行研究。结果表明：与SiH4和GeH4制备的薄膜系列相比,Si2H6和GeH4制备的薄膜中Ge的融入速率相对较慢;用Si2H6和GeH4制备的μc-SiGe薄膜,随着GeH4浓度的增加,薄膜结构始终保持一定的有序度;随着H2稀释率、辉光功率的增大,薄膜结构趋于有序。