Dispositif semi-conducteur en carbure de silicium, et procédé de fabrication correspondant

La presente invention concerne un dispositif semi-conducteur en carbure de silicium (1, 100), et un procede de fabrication correspondant. Ce dispositif comprend, d'une part une couche semi-conductrice (12) qui est faite de carbure de silicium et qui presente egalement une face superieure inclinee de 50 a 65 degres par rapport a une face {0001}, et d'autre part un film isolant (13) realise de facon a etre en contact avec la face superieure de la couche semi-conductrice (12). Le dispositif semi-conducteur en carbure de silicium (1, 100) comporte en outre un axe de canal dans les limites de la face superieure (12a) de la couche semi-conductrice (12) qui se trouve dans une plage de ±10 degres dans un axe perpendiculaire a un axe . Enfin, la concentration maximale en azote a l'interieur d'une region situee a 10 nm de l'interface entre couche semi-conductrice (12) et film isolant (13) est superieure ou egale a 1x10 21 cm -3 .