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Acemap > Paper > 強誘電体をゲート絶縁膜にもつペンタセンFETを用いたソース・ドレイン電極の影響の評価(材料デバイスサマーミーティング)

強誘電体をゲート絶縁膜にもつペンタセンFETを用いたソース・ドレイン電極の影響の評価(材料デバイスサマーミーティング)

2008 
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