ПОВРЕЖДЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛАХ, ОБЛУЧЕННЫХ ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧЕСКИМИ ИОНАМИ

Дан анализ повреждений, созданных в полупроводниковых кристаллах высокоэнергетическими ионами. Результаты получены с помощью просвечивающей электронной микроскопии, селективного химического травления и резерфордовского обратного рассеяния. В кристаллах InP, GaAs, Ge и Si выявлен различный характер формирования дефектов и трекообразования. Для интерпретации зарегистрированных в Ge прерывистых треков использована флуктуационная модель трекообразования при подпороговых значениях удельных потерь энергии электронов. Изучены процессы формирования нанокластеров In в Si при полиэнергетической имплантации индия и последующей термообработке, а также процессы перестройки кластеров при облучении ионами сверхвысоких энергий.