Procede pour produire un element electroluminescent semi-conducteur, element electroluminescent semi-conducteur, procede pour produire un element semi-conducteur, element semi-conducteur, procede pour produire un element et element

La presente invention concerne un procede pour produire un element electroluminescent semi-conducteur ou un element semi-conducteur, par croissance d'une couche semi-conductrice de composes III-V a base de nitrure, afin de former une structure d'element electroluminescent ou une structure d'element sur un substrat semi-conducteur de composes III-V a base de nitrure. Une pluralite de secondes regions presentant une seconde densite des dislocations moyenne qui est superieure a une premiere densite des dislocations moyenne sont situees de maniere homogene dans une premiere region d'un cristal presentant une premiere densite des dislocations moyenne. Une region d'element est definie sur le substrat semi-conducteur de composes III-V a base de nitrure de facon que la seconde region ne soit sensiblement pas ou ne soit pas du tout comprise dans une region electroluminescente ou dans une region active.