28pAM-6 軌道選択的電子励起によるPt/SiO_x薄膜の界面反応とシリサイド生成(28pAM 格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))