SOI器件X射线与^60Co γ射线总剂量效应比较

为进行10keVX射线和^60Coγ射线总剂量辐射效应的比较,采用这两种辐射源对SOI（Silicon-on-Insulator）n-MOSFET在不同偏置条件下进行总剂量辐照试验,分析了SOINMOS器件在两种辐射源下辐照前后的阈值电压的漂移值并进行比较。实验结果表明,SOINMOS器件的前栅特性中X射线与60Coγ射线辐照感生阈值电压漂移值的比值α随总剂量增加而增大,而背栅特性中α值在不同偏置条件下变化趋势是不同的;在总剂量为1×10^6rad（Si）时,前栅器件α值为0.6～0.75,背栅器件α值为0.76～1.0。